一種MWT太陽(yáng)能電池改善穩(wěn)態(tài)的PSG調(diào)整和測(cè)試方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010024420.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111245366B 公開（公告）日 2021-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN111245366B 申請(qǐng)公布日 2021-05-18
分類號(hào) H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 段帥華;邢飛;史修江;夏中雪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 徐州谷陽(yáng)新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京樂(lè)羽知行專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李培
地址 221300 江蘇省徐州市邳州市高新科技產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)濱湖大道南、香山路西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種MWT太陽(yáng)能電池改善穩(wěn)態(tài)的PSG調(diào)整和測(cè)試方法，包括測(cè)試方法和調(diào)整方法兩個(gè)方面，第一步，取刻蝕即背面堿拋后的硅片，順著打孔的位置將孔1/2位置平均分成2塊；第二步，將孔位置放在3D顯微鏡下，用5倍物鏡，燈光亮度26%?30%找到打孔側(cè)面位置；第三步，將打孔位置移至光標(biāo)中心；第四步，調(diào)整物鏡50倍，燈光亮度12%?16%，測(cè)試模式Zeta3D模式測(cè)試孔內(nèi)3D圖片；第五步，選擇直線，拉取孔內(nèi)過(guò)刻長(zhǎng)度及硅片厚度；第六步，計(jì)算孔內(nèi)過(guò)刻比，孔內(nèi)過(guò)刻比=過(guò)刻長(zhǎng)度/硅片厚度，控制孔內(nèi)過(guò)刻比為硅片橫截面積的0?50%。