一種化學(xué)機械拋光用二氧化硅及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210175071.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114560468A | 公開(公告)日 | 2022-05-31 |
申請公布號 | CN114560468A | 申請公布日 | 2022-05-31 |
分類號 | C01B33/18(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分類 | 無機化學(xué); |
發(fā)明人 | 秦冬霞;司徒粵;黃丹;程翔;梁少彬 | 申請(專利權(quán))人 | 金三江(肇慶)硅材料股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 廣州科沃園專利代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 526238廣東省肇慶市高新區(qū)迎賓大道23號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種化學(xué)機械拋光用二氧化硅及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供的化學(xué)機械拋光用納米球形二氧化硅的制備方法,以正硅酸乙酯(TEOS)為硅源,聚環(huán)氧乙烷?聚環(huán)氧丙烷?聚環(huán)氧乙烷三嵌段共聚物(P123)和自制的表面活性劑為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑,乙醇和水為共溶劑,各組分按特定的比例進行反應(yīng),可有效調(diào)控二氧化硅的梯度粒徑至20~100nm,且粒徑均一性好,有利于提高二氧化硅的分散性,應(yīng)用于化學(xué)機械拋光液中,可以有效提高化學(xué)機械拋光的速率,減少材料拋光后的表面粗糙度,是作為半導(dǎo)體器件的化學(xué)拋光機械拋光液良好的磨料。 |
