半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)及疊陣結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201921419944.7 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN210182774U 公開(公告)日 2020-03-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN210182774U 申請(qǐng)公布日 2020-03-24
分類號(hào) H01S5/022;H01S5/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鳴;石鐘恩;鄭艷芳;付團(tuán)偉 申請(qǐng)(專利權(quán))人 西安域視光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 西安域視光電科技有限公司
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號(hào)1號(hào)樓2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)及疊陣結(jié)構(gòu),涉及半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。該疊陣封裝結(jié)構(gòu)包括:包括:半導(dǎo)體激光芯片、導(dǎo)電襯底、補(bǔ)強(qiáng)片。半導(dǎo)體激光芯片的兩個(gè)鍵合面各與一個(gè)導(dǎo)電襯底平行且鍵合。補(bǔ)強(qiáng)片固定于導(dǎo)電襯底的側(cè)面,且補(bǔ)強(qiáng)片平行于半導(dǎo)體激光芯片與導(dǎo)電襯底的堆疊方向,其中,補(bǔ)強(qiáng)片的熱膨脹系數(shù)大于半導(dǎo)體激光芯片和導(dǎo)電襯底組合體的膨脹系數(shù),使得補(bǔ)強(qiáng)片對(duì)半導(dǎo)體激光芯片和陶瓷基板在厚度方向施加足夠的壓應(yīng)力,與半導(dǎo)體激光芯片和導(dǎo)電襯底自身厚度方向上的拉應(yīng)力相抵消,降低了GS結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體激光芯片開裂的風(fēng)險(xiǎn)。