超輻射發(fā)光二極管或激光器外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510953170.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106898948B 公開（公告）日 2019-05-31
申請公布號 CN106898948B 申請公布日 2019-05-31
分類號 H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高雪; 周坤; 孫逸; 馮美鑫; 劉建平; 孫錢; 張書明; 李德堯; 張立群; 楊輝 申請（專利權(quán)）人 蘇州納睿光電有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王鋒
地址 310000 浙江省杭州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道21號大街600號2幢110室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超輻射發(fā)光二極管或激光器外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述外延結(jié)構(gòu)包括從下到上依次設(shè)置的Si襯底、AlN緩沖層、AlGaN緩沖層、GaN波導(dǎo)層、n型AlGaN層、n型或i型InGaN下波導(dǎo)層、有源區(qū)、p型或i型InGaN上波導(dǎo)層、p型AlGaN電子阻擋層、p型AlGaN上光學(xué)限制層、p型或n型GaN或InGaN接觸層。優(yōu)選的，所述有源區(qū)采用i型InGaN/GaN多量子阱或量子點有源區(qū)。所述GaN波導(dǎo)層的厚度與所述超輻射發(fā)光二極管或激光器的脊形條寬相當(dāng)。藉由本發(fā)明的所述外延結(jié)構(gòu)，注入的載流子可以被有效的限制在很薄的有源區(qū)中，其復(fù)合產(chǎn)生的光強能夠從有源區(qū)擴展到第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中，而因其中的GaN波導(dǎo)層較厚，該波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可以顯著提高超輻射發(fā)光二極管、激光器的光束質(zhì)量。