氮化鎵基半導(dǎo)體激光器外延結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110208967.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102299482B 公開（公告）日 2013-06-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN102299482B 申請(qǐng)公布日 2013-06-19
分類號(hào) H01S5/22(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾暢;張書明;劉建平;王輝;馮美鑫;李增成;王懷兵;楊輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州納睿光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華夏博通專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇州納睿光電有限公司;杭州增益光電科技有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖高教區(qū)若水路398號(hào)C420
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型氮化鎵基半導(dǎo)體激光器外延結(jié)構(gòu)及其制作方法，本發(fā)明采用Al組分漸變的p-AlGaN作為光學(xué)限制層，通過(guò)極化摻雜的原理,實(shí)現(xiàn)三維空穴氣。利用本發(fā)明可以提高受主Mg雜質(zhì)的活化效率，降低器件電壓，同時(shí)有效降低激光器內(nèi)損耗。