一種氮化鎵基激光器外延結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210012562.9 申請日 -
公開（公告）號 CN102545058A 公開（公告）日 2012-07-04
申請公布號 CN102545058A 申請公布日 2012-07-04
分類號 H01S5/343(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李增成;劉建平;張書明;王輝;楊輝 申請（專利權(quán)）人 蘇州納睿光電有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 蘇州納睿光電有限公司;杭州增益光電科技有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型氮化鎵基激光器外延結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：(a)在襯底上外延生長一層GaN緩沖層；(b)緩沖層上外延n型光限制層；(c)生長下波導(dǎo)層；(d)外延生長InaGa1-aN/GaN多量子阱作為有源區(qū)；生長最后一個InaGa1-aN量子阱后，將最后一個GaN勢壘層用AlGaN層取代，所述AlGaN層為一層1~50nm厚的Al組分漸變的AlxGa1-xN，或者為至少2層Al組分逐漸增加的AlyGa1-yN層；(e)外延生長一層p型AlzGa1-zN電子阻擋層；所述步驟(d)和(e)中：0≦x≦y≦z≦1；(f)生長上波導(dǎo)層；(g)生長p型光限制層；(h)生長歐姆接觸層。本發(fā)明的制備方法克服了最上面的GaN勢壘層與AlGaN電子阻擋層界面上電子積聚的問題；可有效提高激光器的性能。