一種氮化鎵基激光器管芯的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210012559.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102545051A | 公開(公告)日 | 2012-07-04 |
申請公布號 | CN102545051A | 申請公布日 | 2012-07-04 |
分類號 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張書明;王輝;劉建平;王懷兵;楊輝 | 申請(專利權)人 | 蘇州納睿光電有限公司 |
代理機構 | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 | 代理人 | 陶海鋒;陸金星 |
地址 | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種氮化鎵基激光器管芯的制備方法,包括如下步驟:1)在襯底上外延生長N型GaN電極接觸層、N型光限制層、N型波導層、發(fā)光有源區(qū)、P型波導層、P型光限制層和P型電極接觸層;得到氮化鎵基激光器外延結構;2)將氮化鎵基激光器外延結構刻蝕至P型光限制層,并刻去部分P型波導層,形成激光器的脊型結構;3)在上述激光器的脊型結構的表面蒸鍍P型歐姆接觸電極;4)在P型歐姆接觸電極的表面形成p型層加厚電極;5)將襯底減?。?)蒸鍍N型歐姆接觸電極金屬;7)分割形成單個激光器的管芯。本發(fā)明的制備方法可以簡化激光器的制作工藝,使激光器的脊型的側壁形成金屬接觸,增大金屬接觸面積,減小接觸電阻,降低工作電壓,增加散熱效果。 |
