p型疊層漸變帶隙硅量子點(diǎn)多層膜及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910965910.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110854215A 公開（公告）日 2020-02-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN110854215A 申請(qǐng)公布日 2020-02-28
分類號(hào) H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/0745;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單丹;周壽斌;唐明軍;楊瑞洪;曹蘊(yùn)清;錢松;仇實(shí);陳雪圣 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇華富儲(chǔ)能新技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇華富儲(chǔ)能新技術(shù)股份有限公司;揚(yáng)州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院
地址 225600 江蘇省揚(yáng)州市高郵經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)高郵市電池工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種p型疊層漸變帶隙硅量子點(diǎn)多層膜及其制備方法和應(yīng)用，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，該p型疊層漸變帶隙硅量子點(diǎn)多層膜包括6層硅量子點(diǎn)薄膜，每兩層硅量子點(diǎn)薄膜厚度一致，相同厚度規(guī)格的硅量子點(diǎn)薄膜相鄰，相鄰的碳化硅薄膜之間有一層硅量子點(diǎn)薄膜。該制備方法為通過等離子體增強(qiáng)氣相沉積工藝在n型硅襯底2和n型硅納米線3上生長p型疊層漸變帶隙硅量子點(diǎn)多層膜。該應(yīng)用采用p型疊層漸變帶隙硅量子點(diǎn)多層膜制備太陽能電池，該電池包括依次疊加的Al電極層、n型硅襯底、n型硅納米線、p型疊層漸變帶隙硅量子點(diǎn)多層膜、石墨烯層和Au電極層。本發(fā)明利用疊層硅量子點(diǎn)多層薄膜的漸變帶隙來拓寬吸收層中的光響應(yīng)范圍，改善了器件的光電性能。