新型疊層硅量子點異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910965968.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110854232A 公開（公告）日 2020-02-28
申請公布號 CN110854232A 申請公布日 2020-02-28
分類號 H01L31/0725;H01L31/0745;H01L31/0236;H01L31/0312;H01L31/0352;H01L31/20;C23C14/16;C23C14/24;C23C16/24;C23C16/26;C23C16/32;C23C16/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單丹;周壽斌;唐明軍;楊瑞洪;曹蘊清;錢松;仇實;陳雪圣 申請（專利權(quán)）人 江蘇華富儲能新技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇華富儲能新技術(shù)股份有限公司;揚州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院
地址 225600 江蘇省揚州市高郵經(jīng)濟開發(fā)區(qū)高郵市電池工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型疊層硅量子點異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，該太陽能電池包括依次疊加的Al電極層、n型硅襯底、n型硅納米線、p型疊層漸變帶隙硅量子點多層膜、石墨烯層和Au電極層。該方法包括：n型硅納米線的刻蝕，通過等離子體增強氣相沉積工藝在n型硅襯底和n型硅納米線上生長p型疊層漸變帶隙硅量子點多層膜；通過氣相沉積工藝在p型疊層漸變帶隙硅量子點多層膜上制備石墨烯層；在石墨烯層上蒸鍍Au電極層；在n型硅襯底背面蒸鍍Al電極層。本發(fā)明形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，硅材料成本可節(jié)約30%，利用疊層硅量子點多層薄膜的漸變帶隙來拓寬吸收層中的光響應(yīng)范圍，改善了器件的光電性能，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率至7.4%。