一種微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111512073.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114148984A 公開（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114148984A 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類號(hào) B81B3/00（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81C3/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 郭亞;劉堯青;儲(chǔ)莉玲;金羊華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 美新半導(dǎo)體（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州簡理知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 龐聰雅
地址 300450天津市自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)（空港經(jīng)濟(jì)區(qū)）西三道158號(hào)金融中心4-501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括：第一半導(dǎo)體圓片，其設(shè)置有第一空腔、CMOS電路和防護(hù)層，第一空腔設(shè)置于第一半導(dǎo)體圓片的正面，CMOS電路設(shè)置于第一半導(dǎo)體圓片內(nèi)且位于第一空腔的下方，防護(hù)層位于第一空腔的底部且位于所述CMOS電路的上方；第二半導(dǎo)體圓片，其為傳感器的微機(jī)電系統(tǒng)單元，其包括固定結(jié)構(gòu)、可移動(dòng)結(jié)構(gòu)和溝槽，第二半導(dǎo)體圓片與第一半導(dǎo)體圓片的正面相鍵合，第一空腔與可移動(dòng)結(jié)構(gòu)相對(duì)；第三半導(dǎo)體圓片，其與第二半導(dǎo)體圓片的背面相鍵合，第三半導(dǎo)體圓片的正面與第二半導(dǎo)體圓片的可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的相對(duì)位置處設(shè)置有第二空腔。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能夠有效防止或減少PID的產(chǎn)生，以對(duì)CMOS電路進(jìn)行保護(hù)。