一種五氧化二鈮納米線膜的大面積制備方法及其氫敏元件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110026084.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN102180518B 公開（公告）日 2014-03-19
申請公布號(hào) CN102180518B 申請公布日 2014-03-19
分類號(hào) G01N27/04(2006.01)I;C01G33/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;H01L49/00(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 顧豪爽;王釗;胡永民;胡明哲;王威 申請（專利權(quán)）人 武漢正光恒遠(yuǎn)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢金堂專利事務(wù)所 代理人 湖北大學(xué);武漢正光恒遠(yuǎn)科技有限公司
地址 430062 湖北省武漢市武昌區(qū)學(xué)院路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種五氧化二鈮納米線的大面積制備方法及其氫敏元件。具體是將裁剪為合適大小的Nb箔片嚴(yán)格清洗后經(jīng)過彎曲或折疊處理，置于真空管式爐中嚴(yán)格控制熱氧化過程的工藝條件(如Ar流量、O2流量、保溫溫度與時(shí)間等)，合成出大面積具有較高長徑比的Nb2O5納米線。該方法可實(shí)現(xiàn)在有限體積的爐管中大面積合成高長徑比的Nb2O5納米線，從而有效降低生產(chǎn)成本。利用該Nb2O5納米線作為敏感材料，通過濺射制備Pt電極制作的氫敏元件具有尺寸小、功耗低等特點(diǎn)，在室溫下對(duì)含氫氣氛表現(xiàn)出較快的響應(yīng)速率和較高的靈敏度，有望降低氫敏傳感器的尺寸、功耗和生產(chǎn)成本。