三維神經(jīng)微電極的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200710171235.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100551815C 公開(kāi)（公告）日 2009-10-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN100551815C 申請(qǐng)公布日 2009-10-21
分類號(hào) B81C1/00(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 隋曉紅;李瑩輝;任秋實(shí) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華實(shí)投資有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海交達(dá)專利事務(wù)所 代理人 上海交通大學(xué);上海華實(shí)投資有限公司
地址 200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種微機(jī)電技術(shù)領(lǐng)域的三維神經(jīng)微電極的制作方法，具體如下：以硅片作為襯底，在硅片的正面生長(zhǎng)底層SiO2；在底層SiO2上形成金屬合金層，并刻蝕出金屬互連線、壓焊點(diǎn)和接觸圓點(diǎn)；底層SiO2正面生長(zhǎng)頂層SiO2，并采用緩沖的HF酸溶液刻蝕頂層SiO2，暴露出壓焊點(diǎn)和接觸圓點(diǎn)，并采用光刻膠填充壓焊點(diǎn)；在接觸圓點(diǎn)的硅平面結(jié)構(gòu)正面旋涂SU-8膠，并通過(guò)光刻與刻蝕工藝，形成圓柱形孔，用光刻膠填充壓焊點(diǎn)；在圓柱形孔中電鍍生長(zhǎng)金屬，形成金屬圓柱，采用顯影方式去除壓焊點(diǎn)中的光刻膠，暴露壓焊點(diǎn)；進(jìn)行清洗得到三維多通道微電極陣列。本發(fā)明降低制作成本，提高微電極的高度可控性及各通道一致性。