內(nèi)溝槽臺(tái)面工藝觸發(fā)二極管芯片的制作工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110423298.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113161237A 公開（公告）日 2021-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113161237A 申請(qǐng)公布日 2021-07-23
分類號(hào) H01L21/329;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/861 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張興杰;程萬(wàn)坡;卜程德;王榮元 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇韋達(dá)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 代理人 陳棟智
地址 225000 江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)科技園路8號(hào)8
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種內(nèi)溝槽臺(tái)面工藝觸發(fā)二極管芯片的制作工藝，包括以下步驟：在單晶硅片上通過低溫液態(tài)源擴(kuò)散或離子注入方式摻雜一層淡磷；在高溫下進(jìn)行磷再擴(kuò)散，在淡磷上進(jìn)行雙面濃磷擴(kuò)散；在淡磷上進(jìn)行雙面局部補(bǔ)硼擴(kuò)散；在雙面進(jìn)行硅腐蝕，形成內(nèi)溝槽；在雙面溝槽內(nèi)填充一層玻璃層形成終端保護(hù)；雙面光刻出引線窗口，同時(shí)在邊緣開出劃片槽；正、背面金屬化后，得到芯片。本發(fā)明采用的內(nèi)溝槽鈍化保護(hù)結(jié)構(gòu)相比常規(guī)外溝槽結(jié)構(gòu)有更高的可靠性，產(chǎn)品不易失效與產(chǎn)生漏電，規(guī)避了芯片劃片、封裝等帶來(lái)的可靠性風(fēng)險(xiǎn)。