高溫度特性門極靈敏型觸發(fā)可控硅芯片的制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110423467.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113161238A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161238A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L21/332;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張興杰;程萬坡;卜程德;王榮元 申請（專利權(quán)）人 江蘇韋達(dá)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 代理人 陳棟智
地址 225000 江蘇省揚州市邗江區(qū)科技園路8號8
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高溫度特性門極靈敏型觸發(fā)可控硅芯片的制作工藝，包括以下步驟：在單晶硅片上生長一層氧化層，在芯片邊緣進(jìn)行對通隔離擴(kuò)散，再進(jìn)行背面陽極區(qū)及正面短基區(qū)P擴(kuò)散；在正面短基區(qū)P上進(jìn)行磷擴(kuò)散；在正面進(jìn)行局部腐蝕，形成深溝槽；在正面門極與陰極交界處附近進(jìn)行腐蝕，形成淺溝槽；在表面及溝槽內(nèi)沉積一層SIPOS，作為PN結(jié)最底層的鈍化層；在溝槽內(nèi)、SIPOS上填充一層玻璃層作為最終的保護(hù)鈍化層；通過LPCVD方法在表面生長一層氧化層作為引線孔光刻的過渡層；在正面、背面光刻出引線窗口，同時在邊緣開出劃片槽；正、背面金屬化后，得到芯片。通過提高門極靈敏型觸發(fā)可控硅的溫度特性，來提高產(chǎn)品使用的最高結(jié)溫，提升產(chǎn)品的高溫適應(yīng)性能。