一種膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010097456.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111519171A 公開（公告）日 2020-08-11
申請公布號 CN111519171A 申請公布日 2020-08-11
分類號 C23C16/513(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 呂偉桃;梁宸 申請（專利權(quán)）人 佛山市思博?？萍加邢薰?/a>
代理機構(gòu) 佛山市禾才知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 佛山市思博?？萍加邢薰?/td>
地址 528051廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地核心園區(qū)內(nèi)C區(qū)7座第五層（1-6軸）廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了本發(fā)明提供一種膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法，包括以下步驟：(1)、前處理：將待處理工件放入反應(yīng)腔，向反應(yīng)腔內(nèi)通入C3F6和/或C4F8，在真空條件下以電離的C3F6和/或C4F8對工件表面進行處理；(2)、活化；(3)、汽化：將親水材料和疏水材料混合均勻得到混合鍍膜材料，汽化后的混合鍍膜材料進入反應(yīng)腔；(4)、沉積親水膜：設(shè)定反應(yīng)腔內(nèi)的射頻功率位第一功率，在真空度下沉積親水膜，在沉積過程中對真空度由低到高進行調(diào)整；(5)、沉積疏水膜：在沉積過程中對真空度由低到高進行調(diào)整；(6)、后處理。本發(fā)明的方法具有疏水膜沉積速度快、附著牢固、膜層致密、生產(chǎn)周期短的優(yōu)點。??