一種固態(tài)電解質(zhì)薄膜晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510119192.2 申請日 -
公開（公告）號 CN104835835A 公開（公告）日 2015-08-12
申請公布號 CN104835835A 申請公布日 2015-08-12
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 武倩;邵憲一;邊惠;郭小軍 申請（專利權(quán)）人 武漢新驅(qū)創(chuàng)柔光電科技有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南京華印半導(dǎo)體有限公司;武漢新驅(qū)創(chuàng)柔光電科技有限公司
地址 210046 江蘇省南京市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)興科路12號紫金新港（南西）科創(chuàng)基地101-3室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種固態(tài)電解質(zhì)薄膜晶體管及其制備方法。固態(tài)電解質(zhì)薄膜晶體管包括：絕緣襯底(11)、源電極(12)、漏電極(13)、半導(dǎo)體層(14)、電解質(zhì)絕緣層(15)、柵電極(16)和柵極襯底(17)。其中：所述絕緣襯底(11)位于晶體管的最底層，源電極(12)和漏電極(13)制備在絕緣襯底(11)之上。先在絕緣襯底上制備源/漏電極；其次在絕緣襯底和源/漏電極上制備半導(dǎo)體層；在柵極襯底上制備柵電極；將柵極襯底、柵電極與電解質(zhì)絕緣層一同切割形成適當(dāng)尺寸的小片，利用全自動或半自動自對準(zhǔn)機械轉(zhuǎn)移覆蓋在半導(dǎo)體層溝道區(qū)域之上，完成器件制備。