太陽能級多晶硅提純鑄錠用的坩堝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201020587029.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN201857440U | 公開（公告）日 | 2011-06-08 |
| 申請公布號 | CN201857440U | 申請公布日 | 2011-06-08 |
| 分類號 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 史珺;程素玲 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇中強(qiáng)光伏科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海普羅新能源有限公司 |
| 地址 | 201300 上海市浦東新區(qū)宣黃公路2455弄6號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種太陽能級多晶硅提純鑄錠用的坩堝，該坩堝包括石英材質(zhì)的坩堝本體，其中，該坩堝本體的內(nèi)壁涂覆了一層由水玻璃、氮化硅粉末、氫氧化鋇粉末及納米二氧化硅粉末為原料制成的坩堝涂層。本實(shí)用新型的坩堝可有效防止涂層顆粒剝落導(dǎo)致顆粒污染硅晶體，同時具有除雜效果。 |
