半導(dǎo)體制冷片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201720231208.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN206497902U | 公開(公告)日 | 2017-09-15 |
申請公布號 | CN206497902U | 申請公布日 | 2017-09-15 |
分類號 | H01L35/32(2006.01)I;H01L35/10(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 羅航宇 | 申請(專利權(quán))人 | 四川中光高技術(shù)研究所有限責(zé)任公司 |
代理機構(gòu) | 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 四川中光高技術(shù)研究所有限責(zé)任公司 |
地址 | 610000 四川省成都市錦江區(qū)東大街牛王廟段100號1棟1單元19層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及一種半導(dǎo)體制冷片,包括兩個層疊設(shè)置的金屬基板以及設(shè)置于它們之間的多個呈柱狀的半導(dǎo)體制冷晶粒,多個半導(dǎo)體制冷晶粒呈矩陣排列;金屬基板靠近半導(dǎo)體制冷晶粒的側(cè)面均固定設(shè)置有多個導(dǎo)流金屬片,多個半導(dǎo)體制冷晶粒通過多個導(dǎo)流金屬片串聯(lián)電連接;半導(dǎo)體制冷晶粒的端部均通過焊接物料與對應(yīng)的導(dǎo)流金屬片焊接,導(dǎo)流金屬片的側(cè)面上與對應(yīng)的半導(dǎo)體制冷晶粒焊接的區(qū)域設(shè)有向內(nèi)凹陷的凹陷部;本實用新型產(chǎn)品生產(chǎn)制造簡單便捷,半導(dǎo)體制冷晶粒元件與導(dǎo)流金屬片之間的連接更加牢固,焊接效果更好,能有效避免出現(xiàn)漏焊、空焊及焊接面出現(xiàn)孔洞等現(xiàn)象,焊接后產(chǎn)品質(zhì)量更好、制冷效率更高。 |
