一種SIH膜制備方法、紅外帶通多層膜制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010045219.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111235521A 公開（公告）日 2020-06-05
申請公布號 CN111235521A 申請公布日 2020-06-05
分類號 C23C14/02(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 陸張武;王迎;李恭劍;徐征馳 申請（專利權(quán)）人 浙江晶馳光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 浙江千克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張海兵
地址 318001浙江省臺州市椒江區(qū)開發(fā)大道東段2198號一期聯(lián)合廠房3樓-A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種SIH膜制備方法、紅外帶通多層膜制備方法，屬于鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。SIH膜制備方法包括：步驟S01，對濺射鍍膜機(jī)腔體抽真空；步驟S02,將玻璃基片置于鍍膜腔室內(nèi)加熱；步驟S03,利用等離子氣體Ar,對玻璃基片進(jìn)行ICP離子預(yù)清洗；步驟S04,在靶材附近充入Ar和H2,在直流脈沖模式下用Ar和H2轟擊Si靶,在玻璃基片的沉底上形成SIH膜。紅外帶通多層膜制備方法包括：步驟S10,采用上述方法在玻璃基片上制備SIH膜；步驟S20，在腔體內(nèi)部充入Ar和O2，用Ar轟擊Si靶，生成SiO2膜；步驟S30，重復(fù)步驟S10?S20形成紅外帶通多層膜。本發(fā)明生產(chǎn)成本低，產(chǎn)能高，能生產(chǎn)出N>3.68,k<0.0002特性的SIH膜和低角度效應(yīng)的紅外帶通濾光片。??