薄膜制備裝置及薄膜生長的觀察方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810108517.7 申請日 -
公開（公告）號 CN100594254C 公開（公告）日 2010-03-17
申請公布號 CN100594254C 申請公布日 2010-03-17
分類號 C23C14/24(2006.01)I;C23C14/52(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 宋長安;彭應(yīng)全;宋毅;朋興平;覃同 申請（專利權(quán)）人 天津佰騰生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘭州振華專利代理有限責(zé)任公司 代理人 蘭州大學(xué);天津佰騰生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
地址 730000甘肅省蘭州市天水南路222號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種采用物理方法在基底材料上制備薄膜的設(shè)備，以及在制備過程中觀察膜生長情況的方法。本發(fā)明的裝置中鍍膜室由鍍膜室殼體和位于鍍膜室殼體下的底板構(gòu)成，在真空殼體上設(shè)置有充氣閥和觀察窗，在底板上分別設(shè)置有電阻加熱蒸發(fā)器、輻射式坩鍋蒸發(fā)器、濺射靶以及干涉光源、攝像頭，在固定架上設(shè)置有用旋轉(zhuǎn)軸驅(qū)動的旋轉(zhuǎn)托盤、樣片退火加熱器和其下底設(shè)置的用于固定制膜樣片裝置；本發(fā)明的方法是在膜生長同時觀察膜上形成的干涉現(xiàn)象。