一種半導體器件及其應(yīng)用與制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111424557.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113889531A 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN113889531A 申請公布日 2022-01-04
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林信南;石黎夢 申請（專利權(quán)）人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王積毅
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道秀新社區(qū)錦繡中路14號深福?，F(xiàn)代光學廠區(qū)B棟511
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體器件及其應(yīng)用與制造方法，所述半導體器件包括：襯底；溝道層，設(shè)置在所述襯底上；勢壘層，設(shè)置在所述溝道層上；第一氮化鎵層，設(shè)置在所述勢壘層上，且覆蓋所述勢壘層；第二氮化鎵層，設(shè)置在所述第一氮化鎵層上；第三氮化鎵層，設(shè)置在所述第二氮化鎵層上；第一漏極，設(shè)置在所述第三氮化鎵層上；第一源極，設(shè)置在所述第三氮化鎵層上，且所述第一源極和所述第一漏極之間形成凹部；以及第一柵極，設(shè)置在所述勢壘層上，且所述第一柵極覆蓋所述凹部，以及所述第一源極和所述第一漏極靠近所述凹部的頂部；其中，所述第二氮化鎵層和所述第三氮化鎵層位于所述源極和所述漏極與所述勢壘層之。通過本發(fā)明提供的一種半導體器件，可改善集成半導體器件的質(zhì)量。