一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122345525.7 申請日 -
公開（公告）號 CN216793640U 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN216793640U 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L21/677（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳衛(wèi)軍 申請（專利權(quán)）人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六和社區(qū)招商花園城17棟S1704
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提出一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用。且所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；第一半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述襯底上；電阻層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上；有源層，設(shè)置在所述電阻層上；以及第二半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述有源層上。通過本實用新型提供的一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用，可改善發(fā)光二極管芯片的閃爍情況。