一種半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用與制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111423735.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113990950A 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN113990950A 申請公布日 2022-01-28
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林信南;石黎夢 申請（專利權(quán)）人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王積毅
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道秀新社區(qū)錦繡中路14號深福?，F(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟511
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用與制造方法，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；第一溝道層，設(shè)置在所述襯底上；第一插入層，設(shè)置在所述第一溝道層上；第二溝道層，設(shè)置在所述插入層上；勢壘層，設(shè)置在所述第二溝道層上；漏極，設(shè)置在所述勢壘層上，且與所述第二溝道層接觸；源極，設(shè)置在所述勢壘層上，且與所述第二溝道層接觸接觸；以及柵極，設(shè)置在所述勢壘層上，且位于所述源極和所述漏極之間。通過本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體器件，使所述半導(dǎo)體器件具有穩(wěn)定的亞閾值擺幅。