一種半導體器件及其應用與制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111423731.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113990949A 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN113990949A 申請公布日 2022-01-28
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林信南;石黎夢 申請（專利權）人 深圳市晶相技術有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 王積毅
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道秀新社區(qū)錦繡中路14號深福?，F(xiàn)代光學廠區(qū)B棟511
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體器件及其應用與制造方法，所述半導體器件包括：襯底；溝道層，設置在所述襯底上；勢壘層，設置在所述溝道層上；漏極，設置在所述勢壘層上，且與所述溝道層接觸；柵極，設置在所述勢壘層上，且所述柵極環(huán)繞所述漏極設置；以及源極，設置在所述勢壘層上，且與所述溝道層接觸，所述源極位于所述柵極的外側。通過本發(fā)明提供的一種半導體器件，可提高所述半導體器件的性能。