一種半導體外延結構及其應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111673455.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114121746A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114121746A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L21/677（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳衛(wèi)軍 申請（專利權）人 深圳市晶相技術有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 王積毅
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道秀新社區(qū)錦繡中路14號深福保現(xiàn)代光學廠區(qū)B棟511
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種半導體外延結構及其應用，所述半導體外延結構包括：襯底；第一半導體層，設置在所述襯底上；應力釋放層，設置在所述第一半導體上；第一有源層，設置在所述應力釋放層上；第二有源層，設置在所述第一有源層上；第二半導體層，設置在所述有源層上。通過本發(fā)明提供的一種半導體外延結構及其應用，可改善半導體結構的發(fā)光質(zhì)量。