一種發(fā)光二極管及其應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111673485.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114121747A | 公開(公告)日 | 2022-03-01 |
申請公布號 | CN114121747A | 申請公布日 | 2022-03-01 |
分類號 | H01L21/677(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳衛(wèi)軍 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市晶相技術(shù)有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 王積毅 |
地址 | 529000廣東省江門市江海區(qū)彩虹路1號3幢首層、二層,7幢二層(信息申報制、一址多照) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管及其應(yīng)用,且所述發(fā)光二極管包括:襯底;半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述襯底上;透明導(dǎo)電層,設(shè)置在所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)上;第一填平層,設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層上;第二填平層,設(shè)置在所述第一填平層電層上,且所述第一填平層的顆粒密度大于所述第二填平層的顆粒密度;第一電極,設(shè)置在所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體層上;以及第二電極,設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層上。通過本發(fā)明提供的一種發(fā)光二極管,可改善發(fā)光效果。 |
