激光蝕刻銀漿的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410082735.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103824611B 公開(kāi)（公告）日 2017-04-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN103824611B 申請(qǐng)公布日 2017-04-19
分類號(hào) H01B1/22(2006.01)I;H01B1/24(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;G06F3/044(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田耕;劉洪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 郴州元貞高新創(chuàng)業(yè)投資管理有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 510665 廣東省廣州市天河區(qū)東圃車陂路黃洲工業(yè)區(qū)大院內(nèi)自編11號(hào)第1層西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種激光蝕刻銀漿，包括銀粉，高分子樹(shù)脂，溶劑，所述激光蝕刻銀漿還包括銀粉重量0.001?0.1％的納米導(dǎo)電碳粒子。本發(fā)明還涉及激光蝕刻銀漿的制備方法，銀粉處理：將納米導(dǎo)電碳粒子在部分溶劑中分散均勻后，加入銀粉，加熱至10％?60％的溶劑揮發(fā)；高分子樹(shù)脂處理：加入高分子樹(shù)脂和剩余溶劑，加熱充分溶解，過(guò)濾雜質(zhì)或不溶物；銀漿制備：將處理后的銀粉和高分子樹(shù)脂在三輥機(jī)中研磨至細(xì)度1?8微米，得到激光蝕刻銀漿。本發(fā)明提供的激光蝕刻銀漿，通過(guò)添加少量的導(dǎo)電碳粒子，增強(qiáng)了體系的分散性，進(jìn)一步降低了體積電阻率。