一種SRAM芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201820058977.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN207742937U | 公開(公告)日 | 2018-08-17 |
申請公布號 | CN207742937U | 申請公布日 | 2018-08-17 |
分類號 | G11C11/413 | 分類 | 信息存儲; |
發(fā)明人 | 王貴良 | 申請(專利權)人 | 北京中科戎大科技股份有限公司 |
代理機構 | 中國有色金屬工業(yè)專利中心 | 代理人 | 北京中科戎大科技股份有限公司 |
地址 | 100192 北京市海淀區(qū)西小口路66號D-3樓101室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型提出一種SRAM芯片,包括獨立的讀寫雙端口陣列、IO控制、模塊配置、沖突檢出邏輯、地址和計數(shù)器邏輯、郵箱、JTAG、復位邏輯程序模塊,并提供兩種操作模式:同步和直通。同步操作中每端口最大單數(shù)據(jù)速率為150MHz×36。該SRAM芯片還設有可調匹配電阻、反饋時鐘、內部電路斷電功能,可調匹配電阻加強數(shù)據(jù)傳輸特性,反饋時鐘提高數(shù)據(jù)傳輸,內部電路斷電可降低靜態(tài)功耗。本實用新型的SRAM芯片能夠提高自身讀寫及存儲性能,且讀寫速率快、功耗低。 |
