一種FCE二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711097975.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109768075B 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN109768075B 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉國友;朱利恒;戴小平;羅海輝;黃建偉 申請（專利權(quán)）人 株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳大建;張杰
地址 412001 湖南省株洲市石峰區(qū)田心高科園半導(dǎo)體三線辦公大樓三樓309室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種FCE二極管及其制造方法。所述FCE二極管包括：漂移層；位于漂移層的第一表面上的P型層；位于漂移層的第二表面上的N?緩沖層；通過向N?緩沖層注入N型離子而形成的N++摻雜層，其中N++摻雜層的厚度小于N?緩沖層的厚度；通過刻蝕N++摻雜層而形成的多個N++摻雜區(qū)以及每兩個相鄰N++摻雜區(qū)之間的溝槽，溝槽的底部10接觸所述N?緩沖層；通過溝槽向N?緩沖層注入P型離子而形成的不與N++摻雜區(qū)接觸的P++摻雜區(qū)，其中P++摻雜區(qū)的厚度小于N?緩沖層的厚度。采用本發(fā)明在保證較好的軟恢復(fù)特性的同時提高P++摻雜區(qū)的接觸效果，進(jìn)而同時降低了FCE二極管陰極面的接觸電阻。