一種半導(dǎo)體器件制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110418968.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113345807A 公開（公告）日 2021-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113345807A 申請(qǐng)公布日 2021-09-03
分類號(hào) H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚堯;羅海輝;何逸濤;羅湘;管佳寧;張鴻鑫;唐智慧;王夢(mèng)潔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳大建;陳敏
地址 412001湖南省株洲市石峰區(qū)田心高科園半導(dǎo)體三線辦公大樓三樓309室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件制備方法，通過(guò)激光退火對(duì)襯底背面的第一導(dǎo)電類型摻雜層進(jìn)行局部退火，利用激光退火后退火區(qū)域比未進(jìn)行退火區(qū)域的抗刻蝕能力強(qiáng)的特性，可以基于激光退火區(qū)域和未進(jìn)行激光退火區(qū)域的抗刻蝕差異性，僅刻蝕掉第一導(dǎo)電類型摻雜層中未進(jìn)行退火的區(qū)域進(jìn)行刻蝕以在該區(qū)域形成凹槽，最后通過(guò)在襯底的背面注入第二導(dǎo)電類型離子并進(jìn)行激光退火，從而能在襯底背面形成凹凸結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電類型集電極層和第二導(dǎo)電類型集電極層。該方法有效避免了光刻工藝并降低了碎片率，極大的提高了背面圖形化半導(dǎo)體器件的制備效率并降低了制造成本。