一種雙層反應腔體結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022645565.9 申請日 -
公開（公告）號 CN213845292U 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN213845292U 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L31/18（2006.01）I;C30B31/00（2006.01）I;C21D1/26（2006.01）I;C23C16/00（2006.01）I;F16J15/06（2006.01）I;F16F15/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林佳繼;龐愛鎖;劉群;李東林 申請（專利權）人 拉普拉斯（無錫）半導體科技有限公司
代理機構 杭州天昊專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 214000江蘇省無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)錫港路張涇東段209號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型為一種雙層反應腔體結構，包括爐口、腔體以及爐尾；腔體設置于爐口以及爐尾之間；腔體包括內層腔體以及外層腔體，內層腔體設置于外層腔體的內部；外層腔體分別與爐口以及爐尾固定連接；內層腔體與爐口可拆式連接，內層腔體還與爐尾連接；通過設置內層腔體和外層腔體的結構，在內層腔體上形成膜，由外層腔體承受真空壓力，實現膜應力和真空壓力的分離，進而增強腔體的承受能力。