一種用于鍍膜設(shè)備的電極組結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020158314.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213739675U 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN213739675U 申請公布日 2021-07-20
分類號 C23C16/50（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 龐愛鎖;林佳繼;劉群;林依婷 申請（專利權(quán)）人 拉普拉斯（無錫）半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 214192江蘇省無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)錫港路張涇東段209號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種用于鍍膜設(shè)備的電極組結(jié)構(gòu)，包括電極組正極塊和電極組負極塊，電極組正極塊和電極組負極塊上分別設(shè)有石墨電極片的放置部位。所述電極組結(jié)構(gòu)設(shè)置在用于鍍膜的真空爐腔內(nèi)，并能夠在所述真空爐腔內(nèi)的一定范圍內(nèi)移動。本實用新型的電極組結(jié)構(gòu)包括一個單獨的由石墨電極片組成的石墨電極組結(jié)構(gòu)，這個石墨電極組結(jié)構(gòu)本身不承載硅片，能夠?qū)⑹姌O和硅片載具分離對插，使鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)和工藝都更加合理。