TSV封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711489572.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109994422B 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN109994422B 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L21/768（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林耀劍 申請（專利權(quán)）人 江蘇長電科技股份有限公司
代理機構(gòu) 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊林潔
地址 214431江蘇省無錫市江陰濱江中路275號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種TSV封裝結(jié)構(gòu)，包括TSV晶圓，TSV晶圓包括若干貫穿蝕刻的第一通孔，第一通孔的內(nèi)壁涂布有導電材料，以使TSV晶圓的正面與背面電性導通，TSV晶圓的背面和側(cè)面選擇性鋪設(shè)有連接線路，TSV封裝結(jié)構(gòu)還包括裝配至所述TSV晶圓的背面的增強結(jié)構(gòu)，增強結(jié)構(gòu)包括背離所述TSV晶圓的背面一側(cè)設(shè)置的第一電連接端以及與連接線路相對接且電性導通的第二電連接端，其中，第一電連接端與第二電連接端電性導通；本發(fā)明提出的TSV封裝結(jié)構(gòu)，通過將增強結(jié)構(gòu)裝配至TSV晶圓，保證了低CTE和高強度、高模量的同時也保證了封裝的較高的強度和較低的翹曲。同時本發(fā)明提出的TSV封裝結(jié)構(gòu)制備方法能同時滿足降低TSV成本和保證封裝強度與翹曲的要求。