一種經(jīng)濟型硅壓力傳感器芯片及加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110288972.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113140638A 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN113140638A 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01L29/84（2006.01）I;G01L1/18（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈文博;張治國;祝永峰;任向陽;鄭東明;關維冰;尹萍;白雪松;海騰;馮艷敏;周聰;肖文英;劉欣慧 申請（專利權）人 沈陽儀表科學研究院有限公司
代理機構 沈陽科威專利代理有限責任公司 代理人 楊濱
地址 110172遼寧省沈陽市渾南新區(qū)高科路23-3號405室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種經(jīng)濟型硅壓力傳感器芯片及加工方法，它包括有：在單晶硅襯底層所加工成的硅膜片，敏感電阻及壓焊點，技術要點是：該傳感器芯片為背面受壓，且用整體KOH腐蝕的方法，避免了傳統(tǒng)方法各向異性腐蝕產(chǎn)生的斜坡，使硅片得到了更加有效的利用。在封接時選擇正面封接，而電極從背面引出。該方法是將經(jīng)清洗的拋光硅片，依次經(jīng)氧化、光刻、刻蝕、退火，濺射金屬等工藝的組合制備。本發(fā)明所制備的芯片，其傳感器穩(wěn)定和性能與傳統(tǒng)的硅壓力傳感器無差別，但是其經(jīng)濟型很好，成本可以降低60%~80%，芯片尺寸降低70%?90%，此外傳感器的過載性能比傳統(tǒng)的硅壓力傳感器可提升2?8倍。