基于磁控濺射技術制備高精密波長漸變?yōu)V光片的方法及其采用的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110519659.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113249699A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113249699A 申請公布日 2021-08-13
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/04（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/10（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王忠連;任少鵬;陰曉俊;趙帥鋒;王瑞生;高鵬;楊文華;張勇喜 申請（專利權）人 沈陽儀表科學研究院有限公司
代理機構(gòu) 沈陽亞泰專利商標代理有限公司 代理人 郭元藝
地址 110043遼寧省沈陽市大東區(qū)北海街242號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬濾光片制備領域，尤其涉及一種基于磁控濺射技術制備高精密波長漸變?yōu)V光片的方法及其采用的裝置，系將濾光片基底固定在圓形平板狀且能繞自身中心軸快速旋轉(zhuǎn)的工件盤的上表面，使濾光片基底的鍍膜面朝上，然后高速旋轉(zhuǎn)工件盤；依據(jù)設定的波長漸變?yōu)V光片膜系，開始靶材濺射并通過等離子源輔助沉積和光控對膜厚進行控制。本發(fā)明以磁控濺射工藝為基礎，采取集成反向掩膜的方式實現(xiàn)光譜漸變，產(chǎn)品可以同時滿足線性度、旁次峰截止、深背景的技術要求；該方法可以實現(xiàn)一次同時鍍制兩種不同的波長漸變?yōu)V光片。