一種提高抗短路能力的溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023147748.4 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN213692061U 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號(hào) CN213692061U 申請公布日 2021-07-13
分類號(hào) H01L29/739;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張偉;薛云峰;孫亞倩 申請（專利權(quán)）人 深圳吉華微特電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;劉曰瑩
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號(hào)廠房A1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種提高抗短路能力的溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu)，包括：設(shè)置于P?阱區(qū)和N?漂移區(qū)上的多個(gè)溝槽，每一所述溝槽的下部填充第一絕緣介質(zhì)，每一所述溝槽的上部按比例填充第二絕緣介質(zhì)和多晶硅。本實(shí)用新型提供一種提高抗短路能力的溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu)，其在每一溝槽的下部填充絕緣介質(zhì)，每一溝槽的上部按比例選擇性地填充絕緣介質(zhì)或多晶硅，填充多晶硅的部分形成柵極，填充絕緣介質(zhì)的部分形成假柵，當(dāng)柵極電壓達(dá)到開啟電壓時(shí)，柵極形成電子通道，假柵部分無法形成電子導(dǎo)電通道，該設(shè)計(jì)有效的降低了溝道密度，減小了飽和電流，提高了器件的抗短路能力。另一方面，填充的絕緣介質(zhì)有效減小了柵極電容，提高了器件開關(guān)速度。