一種提高抗短路能力的溝槽柵IGBT結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023147748.4 申請日 -
公開（公告）號 CN213692061U 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN213692061U 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L29/739;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張偉;薛云峰;孫亞倩 申請（專利權）人 深圳吉華微特電子有限公司
代理機構 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;劉曰瑩
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號廠房A1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種提高抗短路能力的溝槽柵IGBT結構，包括：設置于P?阱區(qū)和N?漂移區(qū)上的多個溝槽，每一所述溝槽的下部填充第一絕緣介質，每一所述溝槽的上部按比例填充第二絕緣介質和多晶硅。本實用新型提供一種提高抗短路能力的溝槽柵IGBT結構，其在每一溝槽的下部填充絕緣介質，每一溝槽的上部按比例選擇性地填充絕緣介質或多晶硅，填充多晶硅的部分形成柵極，填充絕緣介質的部分形成假柵，當柵極電壓達到開啟電壓時，柵極形成電子通道，假柵部分無法形成電子導電通道，該設計有效的降低了溝道密度，減小了飽和電流，提高了器件的抗短路能力。另一方面，填充的絕緣介質有效減小了柵極電容，提高了器件開關速度。