平面型IGBT結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011330868.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112447826A 公開（公告）日 2021-03-05
申請公布號 CN112447826A 申請公布日 2021-03-05
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳郁;方明;胡冬青;劉廣海;薛云峰 申請（專利權(quán)）人 深圳吉華微特電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;彭濤
地址 100124北京市朝陽區(qū)平樂園100號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開平面型IGBT結(jié)構(gòu)，包括芯片主體，所述芯片主體上設(shè)有多個平行分布的P阱，多個P阱間的步距由芯片主體的中心向邊緣由小變大取值設(shè)置。通過對多個平行分布的P阱間的步距進(jìn)行設(shè)置，使得多個P阱在芯片上的分布由中心向邊緣由密變疏，該設(shè)置使得芯片中心區(qū)域的通態(tài)壓降略高，周圍區(qū)域的通態(tài)壓降低，有效改善了芯片的散熱性能及芯片上溫度分布不均勻而導(dǎo)致的電流分布不均勻的情況，溝道沿(100)晶面的<100>晶向?qū)щ娨蔡岣咝酒膶?dǎo)電性能。本發(fā)明的設(shè)計使平面型IGBT具有優(yōu)異的散熱一致性，防止芯片由于溫度分布不均，某一點過熱而導(dǎo)致燒毀，損毀整個芯片，大大提高芯片的可靠性。??