一種超低VF軟快恢復二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110241329.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112786708A 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN112786708A 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L29/868;H01L29/66 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李環(huán)偉;田旭;雷正龍;許冬梅;孫亞倩;盧昂 申請（專利權(quán)）人 深圳吉華微特電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;劉曰瑩
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號廠房A1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種超低VF軟快恢復二極管及其制造方法，該超低VF軟快恢復二極管從上到下依次為：第一金屬電極、氧化層、肖特基勢壘、P+環(huán)和P?阱、N?高阻層、N+襯底層、第二金屬電極，其中，所述肖特基勢壘覆蓋有源區(qū)的非P?阱區(qū)，所述肖特基勢壘占有源區(qū)面積的4/6?5/6，所述P?阱占有源區(qū)面積的1/6?2/6。其通過將SBD二極管與PIN二極管相結(jié)合構(gòu)成一新型的二極管，在PIN二極管的基礎上，在有源區(qū)額外增加肖特基勢壘的小島，在有源區(qū)構(gòu)成P?阱區(qū)與肖特基勢壘交替存在的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，結(jié)合了SBD二極管和FRD(FastRecoveryDiode)二極管的優(yōu)點，正向壓降低且軟快恢復參數(shù)優(yōu)異。