一種具有電流檢測能力的功率MOSFET

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023165105.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213583805U 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN213583805U 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L29/78（2006.01）I;G01R19/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 盧昂;王修中;賈國 申請（專利權(quán)）人 深圳吉華微特電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;劉曰瑩
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號廠房A1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種具有電流檢測能力的功率MOSFET，包括：基層，設(shè)置在所述基層上的柵極、源區(qū)、漏極；所述源區(qū)包括：大源區(qū)，與所述大源區(qū)間隔設(shè)置的電流檢測區(qū)；所述電流檢測區(qū)上設(shè)置有金屬引出端，所述大源區(qū)的有效面積為S1，所述電流檢測區(qū)的有效面積為S2，所述S2小于所述S1。本實(shí)用新型無需單獨(dú)設(shè)置電流檢測電路，從而避免額外的功耗，從而提高整體電路的效率；測出的IS1不受溫度影響，精度較高，誤差小，使得MOSFET具有較強(qiáng)的電流檢測能力，實(shí)用性強(qiáng)。