具有內(nèi)嵌溝道二極管的分離柵MOS結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110469803.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113193042A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113193042A 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L29/423;H01L29/78;H01L27/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李新宇;賈云鵬;周新田;賈國;趙元富;王大明;方星宇;王立昊;胡冬青;吳郁;鄧中翰 申請（專利權(quán)）人 深圳吉華微特電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;彭濤
地址 100124 北京市朝陽區(qū)平樂園100號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及MOS管結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有內(nèi)嵌溝道二極管的分離柵MOS結(jié)構(gòu)，包括溝道二極管多晶硅、MOSFET柵極多晶硅及對稱設(shè)置的第一柵氧化層與第二柵氧化層，所述溝道二極管多晶硅設(shè)置在第一柵氧化層內(nèi)，所述MOSFET柵極多晶硅設(shè)置在第二柵氧化層內(nèi)，所述溝道二極管多晶硅朝向MOSFET柵極多晶硅所對應(yīng)的第一柵氧化層的厚度D1小于MOSFET柵極多晶硅朝向溝道二極管多晶硅所對應(yīng)的第二柵氧化層的厚度D2。本發(fā)明的具有內(nèi)嵌溝道二極管的分離柵MOS結(jié)構(gòu)具有較小的反向開啟電壓，優(yōu)化了反向電流震蕩的問題，有利于解決目前SGTMOS技術(shù)的反向恢復(fù)能力較弱的技術(shù)問題，同時提升了產(chǎn)品的效率性，相較于并聯(lián)體外二極管的方式，也降低了電路的復(fù)雜程度及生產(chǎn)成本。