新型的具有內(nèi)嵌溝道二極管的逆導(dǎo)型IGBT器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110509714.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113224149A | 公開（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113224149A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-06 |
| 分類號(hào) | H01L29/423;H01L29/739 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 賈云鵬;方星宇;周新田;李新宇;吳郁;胡冬青;許冬梅;王修中 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳吉華微特電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 | 代理人 | 梁炎芳;馮建華 |
| 地址 | 100124 北京市朝陽區(qū)平樂園100號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型的具有內(nèi)嵌溝道二極管的逆導(dǎo)型IGBT器件，包括發(fā)射極金屬電極、柵極氧化物、IGBT多晶硅柵及溝道二極管多晶硅柵，所述發(fā)射極金屬電極包括連接部及兩個(gè)凸起部，所述連接部呈平板型，兩所述凸起部一體成型于連接部的兩端且兩凸起部位于柵極氧化物的兩端，所述柵極氧化物設(shè)置在連接部與兩個(gè)凸起部之間并分別與連接部與兩個(gè)凸起部連接，所述IGBT多晶硅柵及溝道二極管多晶硅柵設(shè)置在柵極氧化物的表面且間隔設(shè)置。本發(fā)明的新型的具有內(nèi)嵌溝道二極管的逆導(dǎo)型IGBT器件通過設(shè)置溝道二極管多晶硅柵，顯著提高了反向恢復(fù)特性且降低了柵電荷特性，提升了開關(guān)特性同時(shí)使得功率損耗大大降低。 |
