平面與溝槽相結(jié)合場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體器件制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110137004.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112802755A 公開(kāi)（公告）日 2021-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN112802755A 申請(qǐng)公布日 2021-05-14
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇曉山;賈國(guó);盧昂;李明宇;王大明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳吉華微特電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;劉曰瑩
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號(hào)廠房A1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種平面與溝槽相結(jié)合場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體器件制造方法，包括如下步驟：步驟S 1：在N型硅片表面沉積氧化硅并進(jìn)行光刻刻蝕；步驟S2：去除部分氧化硅以形成溝槽刻蝕窗口，并進(jìn)行溝槽刻蝕；步驟S3：去除N型硅片表面的氧化硅并對(duì)N型硅片的表面進(jìn)行氧化形成氧化硅，并在氧化硅上再沉積一層氧化硅，并在上一層的氧化硅上沉積多晶硅；步驟S4：刻蝕步驟S3中的多晶硅及多晶硅下的兩層氧化硅，進(jìn)行柵氧化，沉積多晶硅，在多晶硅上沉積氧化硅；步驟S5：進(jìn)行多晶硅的光刻刻蝕，再進(jìn)行氧化硅的刻蝕，刻蝕出P?注入窗口；步驟S6：進(jìn)行P?注入及推結(jié)；步驟S7：刻蝕出N+注入窗口并進(jìn)行N+注入及退火。