一種高抗短路能力的溝槽柵IGBT

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110167453.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112750902A 公開（公告）日 2021-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112750902A 申請(qǐng)公布日 2021-05-04
分類號(hào) H01L29/739;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張偉;王修中;許冬梅;雷正龍;宋吉昌;李環(huán)偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳吉華微特電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;劉曰瑩
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號(hào)廠房A1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高抗短路能力的溝槽柵IGBT，從上到下依次為：發(fā)射極、介質(zhì)層、N+源區(qū)、P?阱區(qū)、N?漂移區(qū)、N+緩沖層、P+集電極和集電極電極，其特征在于，介質(zhì)層下還包括：兩第一溝槽，每一第一溝槽內(nèi)形成一第一柵極，兩第一溝槽間設(shè)有偶數(shù)個(gè)第二溝槽，每一第二溝槽內(nèi)形成一第二柵極；第一溝槽位于P?阱區(qū)和N?漂移區(qū)，第二溝槽位于N+源區(qū)和P?阱區(qū)內(nèi)，第二溝槽通過N+源區(qū)與第一溝槽相連接。本發(fā)明在兩第一溝槽間設(shè)置偶數(shù)個(gè)第二溝槽，當(dāng)?shù)谝粬艠O和第二柵極電壓達(dá)到開啟電壓時(shí)，第二溝槽的側(cè)壁和底部也形成電子導(dǎo)電通道，與第一溝槽的電子導(dǎo)電通道相連接，增加了總溝道的長(zhǎng)度，提高了器件抗短路能力。