一種低成本的大功率電子器件封裝工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201410257016.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN104078369A | 公開(公告)日 | 2017-01-04 |
申請公布號 | CN104078369A | 申請公布日 | 2017-01-04 |
分類號 | H01L21/50;H01L21/60 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 馬文珍;張耀輝;曾大杰;彭虎 | 申請(專利權(quán))人 | 長沙瑤華半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 范晴 |
地址 | 215300 江蘇省蘇州市昆山市周莊鎮(zhèn)秀海路188號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種低成本大功率電子器件封裝工藝,準備好封裝大功率電子器件的芯片和法蘭,在芯片背面制作厚金層或者金錫層,在法蘭表面先鍍鎳層,再鍍薄金層,芯片和法蘭之間通過金硅共晶焊或者金錫共晶焊貼片。本發(fā)明所述的低成本大功率電子器件封裝工藝在芯片背面制備厚金層或者金錫層,在法蘭表面鍍薄金,既可以達到良好的金硅共晶焊和金錫共晶焊效果,減小芯片和法蘭之間熱界面層的空洞率,保證芯片的散熱效率,又可以大幅度的降低封裝工藝中的鍍金成本,并減少工序。 |
