一種低成本的大功率電子器件封裝工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410257016.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104078369B 公開(kāi)（公告）日 2017-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN104078369B 申請(qǐng)公布日 2017-01-04
分類(lèi)號(hào) H01L21/50;H01L21/60 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬文珍;張耀輝;曾大杰;彭虎 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 長(zhǎng)沙瑤華半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 范晴
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市周莊鎮(zhèn)秀海路188號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種低成本大功率電子器件封裝工藝，準(zhǔn)備好封裝大功率電子器件的芯片和法蘭，在芯片背面制作厚金層或者金錫層，在法蘭表面先鍍鎳層，再鍍薄金層，芯片和法蘭之間通過(guò)金硅共晶焊或者金錫共晶焊貼片。本發(fā)明所述的低成本大功率電子器件封裝工藝在芯片背面制備厚金層或者金錫層，在法蘭表面鍍薄金，既可以達(dá)到良好的金硅共晶焊和金錫共晶焊效果，減小芯片和法蘭之間熱界面層的空洞率，保證芯片的散熱效率，又可以大幅度的降低封裝工藝中的鍍金成本，并減少工序。