一種SnSe2單晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210350394.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114686986A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114686986A 申請公布日 2022-07-01
分類號 C30B29/46（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 蘆宏;楊聞濤;蘧延慶;賈宏葛;閆爾云;董美伶;耿國梁;王文強 申請（專利權(quán)）人 齊齊哈爾大學(xué)
代理機構(gòu) 廣州海藻專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 161006黑龍江省齊齊哈爾市建華區(qū)文化大街42號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SnSe2單晶的制備方法，包括如下步驟：徹底清洗石英管，將其置于恒溫干燥箱中干燥后，自然冷卻至室溫，裝入高純Sn粒、Se粒與碘顆粒；抽真空至真空度≤0.01Pa，再向其中通入高純氬氣至1000Pa，重復(fù)操作兩次；在管內(nèi)壓強500～3000Pa的氬氣保護下，將石英管密封；將已密封的石英管平放于小型箱式爐中，由室溫升溫至最高溫，并保持48～144h后，以2～5℃/min的降溫速率將爐膛溫度降至300℃后，自然冷卻至室溫，即獲得SnSe2單晶。本發(fā)明生長出來的SnSe2單晶取向性強，便于剝離；無雜質(zhì)、少缺陷；大片、高質(zhì)量；并且所需設(shè)備簡單、能耗更低、操作便捷，同時制備周期短。