一種小體積半導(dǎo)體激光器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202120223897.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN214044341U | 公開(公告)日 | 2021-08-24 |
申請公布號 | CN214044341U | 申請公布日 | 2021-08-24 |
分類號 | H01S5/40(2006.01)I;H01S5/02255(2021.01)I;H01S5/02251(2021.01)I;H01S5/02253(2021.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 周少豐;湯蒙;屈澤云 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市星漢激光科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 武漢瑞創(chuàng)星知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 葉小勤 |
地址 | 518100廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道新和社區(qū)蠔業(yè)路39號旭竟昌工業(yè)園廠房B4棟5層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種小體積半導(dǎo)體激光器,包括第一發(fā)光模塊、第二發(fā)光模塊、反射組件、聚焦組件和輸出光纖;第一發(fā)光模塊包括多個(gè)第一發(fā)光單元,第二發(fā)光模塊包括多個(gè)第二發(fā)光單元;所述反射組件設(shè)置在第二發(fā)光模塊的出光方向上,聚焦組件設(shè)置在反射組件和第一發(fā)光模塊的共同出光方向上,第一發(fā)光模塊的出光高度高于第二發(fā)光模塊的出光高度及反射組件的高度,第一發(fā)光模塊中的各第一發(fā)光單元與第二發(fā)光模塊中的各第二發(fā)光單元依次穿插交替設(shè)置。本實(shí)用新型的有益效果是:本申請?zhí)岢龅陌雽?dǎo)體激光器,將兩排激光芯片依次穿插交替設(shè)置,可縮雙排激光芯片布局所需要的間距,減小激光器的整體尺寸。 |
