基于二氧化硅的高比容量超級(jí)電容器電極材料及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110409927.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113096966A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113096966A 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類號(hào) H01G11/36（2013.01）I;H01G11/86（2013.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孟凡成;趙一昕;徐斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣德天運(yùn)新技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥未來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 葉丹
地址 242200安徽省宣城市廣德經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了基于二氧化硅的高比容量超級(jí)電容器電極材料及制備方法，將羧基化的碳納米管（CNT）分散在乙醇水溶液中，再滴加正硅酸四乙酯，利用正硅酸四乙酯在堿性條件下的水解制備出納米SiO2，最后通過(guò)包覆酚醛樹(shù)脂再碳化得到，控制實(shí)驗(yàn)條件得到粒徑較小且包覆納米碳?xì)さ腟iO2球，其有著更多的電化學(xué)活性位點(diǎn)，表現(xiàn)出更大的比電容，納米碳?xì)さ挠行蚪Y(jié)構(gòu)可以適應(yīng)SiO2在充放電時(shí)產(chǎn)生的體積變化，有效避免了機(jī)械斷裂，增加了循環(huán)穩(wěn)定性，且加入的高導(dǎo)電、高電化學(xué)活性的碳納米管（CNT），使得納米SiO2球沿著碳納米管（CNT）有序生長(zhǎng)，提高了硅基材料本身的導(dǎo)電性和碳基材料間的物理連接，可大幅提升該復(fù)合結(jié)構(gòu)的電化學(xué)性能。