一種GaN外延廢片回收的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510187404.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104779326B 公開（公告）日 2018-05-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN104779326B 申請(qǐng)公布日 2018-05-01
分類號(hào) H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李培咸;孟錫俊;王旭明;陳勘;劉大為;張翼;郭遲;黃兆斌;廉大楨;李建婷;李瑋霖;張陽 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安中為光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京鼎宏元正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 西安中為光電科技有限公司
地址 710000 陜西省西安市電子城電子西街3號(hào)201號(hào)廠房二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaN外延廢片回收的方法，包括下述步驟：步驟二：把所述步驟一中處理的GaN外延廢片浸泡到酸溶液或堿溶液中，然后加熱酸溶液或堿溶液用來腐蝕GaN外延廢片表面；步驟三：把所述步驟二中腐蝕完后的GaN外延廢片取出，然后用清洗液清洗GaN外延廢片表面。本發(fā)明所述GaN外延廢片回收的方法不會(huì)拋棄大量的GaN外延廢片，不僅節(jié)省了大量的生產(chǎn)成本，而且不會(huì)污染環(huán)境，做到了節(jié)能環(huán)保的作用。