復合電流擴展層及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710676698.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107492570A 公開（公告）日 2017-12-19
申請公布號 CN107492570A 申請公布日 2017-12-19
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孟錫俊;張翼;陳勘 申請（專利權）人 西安中為光電科技有限公司
代理機構 成都市鼎宏恒業(yè)知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 西安中為光電科技有限公司
地址 710000 陜西省西安市電子城電子西街3號201號廠房二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種復合電流擴展層及其制作方法，屬一種電流擴展層的制作方法，所述電流擴展層包括由下至上設置的底層隔離層、GaN電流擴展層、異質結隔離層與AlGaN勢壘層；通過多層復合而成的電流擴展層，異質結高遷移率二維電子或空穴氣電流擴展層，利用該高遷移率的二維電子或空穴氣層，可將電流更加有效的擴展開，消除電流擁堵嚴重的問題，提高芯片可靠性，降低芯片的Droop效應；同時本發(fā)明所提供的一種復合電流擴展層結構簡單，適于在各類芯片上生長使用，應用范圍廣闊。